10月11日，中国领先的一站式IP和定制芯片领导者INNOSILICON宣布，它已完成基于SMIC FinFET N + 1先进工艺的全球首个芯片出带和测试。
全部IP全部由内部制作，并且功能已通过测试。
这是经过过去几个月的流程迭代和共同努力后获得的一个里程碑式的结果。
“ N + 1”表示是SMIC第二代高级流程的代号。
与现有的14nm工艺相比，其性能提高了20％，功耗降低了57％，逻辑面积减少了63％。
面积减少了55％。
根据官方网站的信息，信东科技是中国芯片IP和芯片定制的一站式领导者，提供全球主流代工厂（TSMC /三星/ GlobalFoundries / SMIC /联华电子/英特尔/上海华立/武汉鑫芯等）。
），这是一套完整的高速混合电路IP内核和ASIC定制解决方案，范围从180nm到5nm，尤其是22nm以下的FinFET工艺的完整覆盖范围。
它是仅有的具有两个代工厂（TSMC，三星）的国内5nm工艺库和设计流程，这是一家具有胶片功能的技术提供商。
Core Motion Technology继续专注于全球先进的处理芯片IP和定制，拥有全方位的独立高带宽高性能计算IP技术，多次填补了国内先进技术的空白，其核心技术为大众提供了支持为全球客户生产数十亿个高端SOC。
自2019年以来，中芯国际的N + 1流程尚未成熟，团队克服了整个流程中的困难，投资了数千万人民币进行设计优化，并率先完成了NTO流片。
基于N + 1工艺的首款芯片已经经历了几个月的测试循环，经过了多轮测试，帮助中芯国际突破了N + 1工艺的产量瓶颈。
如今，新东科技已成功验证了基于国内N + 1新工艺的首个里程碑式NTO出带，并为国内半导体生态链做出了新贡献。
21ic家族此前也曾报道说，中芯国际已经公开对其N + 1生成过程的进展做出了回应。
中芯国际表示，N + 1工艺将于2020年底小批量试生产。
可以预见，N + 1批量生产的时间不会太长。
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