随着社会的飞速发展，我们的降压控制器也在飞速发展，那么您是否知道降压控制器的详细分析？接下来，让编辑器带领您学习更多有关的知识。
ISL81801两路降压-升压和ISL81802两相降压控制器可提供额外的电压裕量，以为48V电信，数据中心和工业应用提供可靠的电源。
在当今的许多应用中，所需的额定输入电压超过了许多现有DC / DC控制器的最大VIN额定值。
在这方面，传统解决方案包括使用昂贵的前端保护或实施低端栅极驱动设备。
ISL81801降压-升压控制器就像“片上不间断电源UPS”，它控制恒定电压和恒定电流的两种模式，以调节双向电流（正向或反向）。
这种创新的设计允许使用单个控制器为电池或超级电容器和电源负载充电。
ISL81801结合了业界最高的80V降压-升压开关频率（600kHz）和最小的封装（5mmx5mm），使设计人员能够创建超紧凑的高密度电源解决方案。
4.5V至80V的宽输入电压范围非常适合许多常见应用，包括48V电机驱动器，5G通信基站，工业电池备用能量存储系统和太阳能系统。
降压控制器通常来自具有基准电位（0V）的偏置电源（图1a）。
偏置功率来自输入电压。
因此，该器件需要承受全部VIN电压。
ISL81802是具有集成驱动器的单芯片80V两相同步降压控制器。
它也是业界唯一具有1MHz开关频率的80V两相降压控制器。
它可以使用小型电感器来增加功率密度。
对于更高功率的应用，可以将多个ISL81802冗余并联或并联，并具有同类最佳的瞬态响应。
ISL81802可以产生两个独立的输出，也可以产生大电流输出，因此富有创造力的电源工程师可以在平台之间获得极大的灵活性并实现IP重用。
此外，在恒定电压或恒定电流两种模式下进行控制的能力开辟了广泛的最终用户应用，例如LED驱动器，数据中心等。
但是，由于需要打开栅极驱动电压，因此p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）低于VGS的VIN，p沟道降压控制器具有参考VIN的栅极驱动电源（图1b）。
关断p沟道MOSFET只需将栅极电压更改为VIN（0VVGS）（图2）。
瑞萨电子工业与通信事业部副总裁Philip Chesley表示：“新的80VISL81801以及流行的60VISL81601和40VISL81401两路降压/升压控制器与我们行业领先的MCU，电源和模拟产品集成在一起，为客户提供服务提供全系列的系列选择，以优化电池寿命和电源利用率。
充分利用瑞萨专有的调制方案和算法。
高度集成的ISL81801和ISL81802可以实现超高的可靠性，并使用很少的BOM组件进行瞬态负载电流测量。
迅速做出反应”。
以上是对降压控制器相关知识的详细分析。
每个人都必须继续在实践中积累经验，以便设计更好的产品和更好地发展我们的社会。