随着世界的多元化发展，我们的生活在不断变化，包括我们接触到的各种电子产品。
然后，您一定不知道这些产品的某些组件，例如氮化镓场效应晶体管。
Nexperia是半导体基本组件生产领域的大容量生产专家，该公司宣布推出使用新一代H2技术的一系列新型高压氮化镓场效应晶体管。
新设备包括两个封装，TO-247和Nexperia的专有CCPAK。
两者均具有更好的开关和传导性能，并具有更好的稳定性。
由于级联结构和优化的器件相关参数，Nexperia的GaN FET不需要复杂的驱动和控制，并且大大简化了应用设计；使用标准的硅MOSFET驱动器也可以轻松驱动它们。
氮化镓是最新一代的半导体材料，具有很大的开发和应用潜力。
氮化镓的尺寸是硅禁带宽度的3倍，击穿电场强度高10倍，饱和电子迁移速度高3倍，导热率高2倍。
这些性能改进带来的一些优势是，氮化镓比硅更适合于高功率和高频功率器件，而体积更小且功率密度更大。
新的GaN技术使用穿过外延层的通孔来减少缺陷，并且芯片尺寸可以减少约24％。
采用TO-247封装的新器件的导通电阻RDS（on）降至仅41mΩ（最大值，在25°C下典型值为35mΩ），同时具有高栅极阈值电压和低反向传导电压。
采用CCPAK封装的新器件将导通电阻值进一步降低至39mΩ（最大值，在25°C下典型值为33mΩ）。
两种封装中的新器件均符合AEC-Q101标准，可以满足汽车应用的要求。
一个更直观的例子是，如果所有电器都用氮化镓代替，则总功耗将降低20％。
Nexperia GaN战略营销总监Dilder Chowdhury表示：“客户需要具有30-40mΩ导通电阻RDS（on）的新型650V器件，以实现具有成本效益的大功率转换。
相关应用包括电动汽车的车载充电器，高压DC-DC转换器和发动机牵引逆变器；以及机架式电信设备，5G设备和数据中心相关设备等1.5〜5kW钛金级工业电源。
Nexperia继续投资开发氮化镓，并使用新技术扩展产品组合。
首先，向电源模块制造商提供传统的TO-247封装设备和裸芯片，然后提供我们的高性能CCPAK SMD封装设备。
“但是氮化镓不同于硅等。
自然界中不存在的上一代半导体材料只能人工合成，因此研发和商业成本较高。
五厘米大小的GaN片的售价超过20,000元。
Nexperia的CCPAK芯片封装使用创新的铜夹封装技术来替换内部封装引线。
这样可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高可靠性。
CCPAK封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热的两种配置，使其更具通用性，并有助于进一步改善散热。
在研究和设计过程中，必须存在此类问题，这要求我们的科研工作者不断总结设计过程中的经验，以促进产品的不断创新。