Microchip推出了用于汽车的最新一代700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)

汽车电气化浪潮席卷全球,电动汽车,车载充电器和DC / DC转换器等高压汽车系统都需要创新的电源技术,例如碳化硅(SiC)。

Microchip Technology Inc.宣布推出最新认证的700V和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,从而为电动汽车(EV)系统设计人员提供了严格的合规性要求。

严格的汽车质量标准的解决方案,同时支持多种电压,电流和封装选项。

Microchip的新器件已通过AEC-Q101认证。

对于需要在保持高质量的同时提高系统效率的电动汽车电源设计人员来说,它可以最大限度地提高系统的可靠性和耐用性,并获得稳定而持久的应用寿命。

新器件出色的雪崩整流性能使设计人员能够减少对外部保护电路的需求,从而降低系统成本和复杂性。

Microchip离散产品业务部门副总裁Leon Gross表示:“作为汽车行业的长期供应商,Microchip不断扩展汽车电源解决方案,并引领汽车领域的电源系统转型电气化。

我们一直专注于提供汽车解决方案,以帮助客户放松身心。

过渡到碳化硅(SiC),同时最大程度地降低质量,供应和支持挑战的风险”。

Microchip一直是汽车行业的供应商,已有25年以上的历史了。

该公司拥有碳化硅(SiC)技术和多个获得IATF 16949:2016认证的制造工厂,可以通过灵活的制造解决方案提供高质量的设备,以帮助最大程度地减少供应链风险。

经过Microchip的内部和第三方测试后,关键的可靠性指标已证明,与其他制造商生产的SiC器件相比,Microchip的器件性能优越。

与其他在极端条件下会出现性能下降的碳化硅(SiC)器件不同,Microchip的器件性能保持稳定,有助于延长应用寿命。

Microchip的碳化硅(SiC)解决方案的可靠性和耐用性处于业界领先水平。

耐久性测试表明,Microchip的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)在未钳位的电感式开关(UIS)中的能量承受能力提高了20%,并且在高温下具有最低的电流泄漏水平,可以延长系统寿命。

实现更可靠的操作。

Microchip的SiC汽车功率器件进一步扩展了其丰富的控制器,模拟和连接解决方​​案产品组合,为设计人员提供了电动汽车和充电站的整体系统解决方案。

Microchip还利用最新一代的碳化硅(SiC)芯片,提供了700、1200和1700V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)电源模块的广泛产品组合。

此外,Microchip的dsPIC®数字信号控制器还提供了高性能,低功耗和灵活的外设。

Microchip的AgileSwitch®系列数字可编程门驱动器进一步加快了从设计阶段到生产的过程。

这些解决方案还可应用于可再生能源,电网,工业,运输,医疗,数据中心,航空航天和国防系统。

开发工具Microchip的AEC-Q101认证的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)器件支持SPICE和PLECS仿真模型以及MPLAB®Mindi™模拟仿真器。

同时,还提供Microchip SBD(1200V,50A)作为功率级PLECS参考设计模型的一部分,即Vienna三相功率因数校正(PFC)参考设计。

用于Microchip车辆的700和1200V SiC SBD器件(也可作为电源模块的裸芯片提供)已通过AEC-Q101认证,目前正在接受批量订单。

原文是从Microchip作为亚太地区领先的组件授权分销商Microchip所提供的,Excelpoint是面向亚洲电子制造商(包括原始设备制造商(OEM)和原始设计制造商(ODM)和电子产品)的完整解决方案提供商。

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