GAA-FET在3nm和更先进的工艺中至关重要

由于从平面晶体管向FinFET的过渡,过去10年中芯片性能的改善是微不足道的。

然而,随着制程技术继续接近物理极限,芯片行业早已停止谈论摩尔定律。

尽管业界对3nm及更高工艺中的环绕栅晶体管(GAAFET)的应用前景非常乐观,但这种转换的成本必定很高。

国外媒体指出,尽管当前主要的芯片代工厂已经在7nm或5nm工艺节点上提供了相当大的生产能力,但包括台积电和GlobalFoundries在内的许多公司仍在努力工作。

征服基于下一代环绕栅晶体管(GAA)技术的3nm和2nm工艺节点。

据报道,GAA-FET的优势在于更好的可扩展性,更快的切换时间,更好的驱动电流和更低的泄漏。

但是对于制造商而言,FinFET仍然是最有前途的选择技术。

例如,在去年的一次研讨会上,台积电声称其N3技术可以将性能提高50%,同时将功耗降低30%,其密度是N5工艺的1.7倍。

较早的消息称,该公司计划在2024年之前为2nm工艺的大规模生产做准备。

然而,凭借经过充分测试和更可预测的工艺节点,台积电也有足够的时间来测试GAA-FET在2nm节点下的应用前景。

同时,半导体工程公司表示,三星和英特尔也在努力实现从3nm到2nm工艺节点的过渡,三星有望在2022年底之前完成它。

TechSpot指出,GAA有很多类型-场效应管。

目前已知三星将使​​用基于纳米芯片的多桥沟道场效应晶体管(简称MBC-FET)。

MBC-FET可被视为FinFET的侧翻转,其特征在于将栅电极包括在衬底上生长的纳米硅晶片中,并且英特尔还公开了将采用基于“纳米管”的类似方案。

(nanoribbons)在2025年。

当然,在接替鲍勃·斯旺(BobSwan)的新任首席执行官帕特·基辛格(Pat Gelsinger)的领导下,英特尔或许能够加速向新工艺的过渡。

最后,在允许FinFET和GAA-FET并驾齐驱的同时,芯片制造商还可以使用锗(Ge),锑化镓(GaSb),砷化铟(AsIn)和其他具有高迁移率特性的半导体材料。

发送“摩尔定律”;最后一程。

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