传感器技术是现代技术必不可少的类型之一。
每个人都必须了解传感器技术。
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在本文中，编辑将介绍FSI图像传感器技术，并分析功率传感器需要突破的四项主要技术。
如果您对传感器技术感兴趣，则不妨继续阅读。
1. FSI图像传感器技术传统上，图像传感器是根据制造过程设计的。
因此，对于最终设备，光进入前面的金属控制线之间，然后聚焦在光电探测器上。
长期以来，FSI对于较大的像素一直非常有效，因为像素堆栈的高度与像素面积的比值很大，导致像素的孔径较大。
缩小的像素需要一系列像素技术创新，以解决现有照明技术在材料和制造方面的局限性。
例如，FSI采用了许多创新技术和工艺改进，例如形状优化的微透镜，色彩优化的滤光片，凹形像素阵列，光导管和抗反射涂层，以优化FSI像素的光路。
进入FSI像素的光首先由具有防反射涂层的微透镜聚焦，该涂层也用作光圈。
在手机中，微透镜的设计必须能够满足透镜质量和更大的主光线角的要求。
光线穿过微透镜，然后聚集在具有最佳密度和厚度的彩色滤光片上，该彩色滤光片专为低光响应和信噪比（SNR）优化而设计，可确保将其完全分为三个基色分量。
必须仔细选择微透镜的曲率和厚度，以使滤色镜透射的光尽可能多地被光导管接收。
尽管将光管设计为收集从微透镜发出的光，并使其以窄光束的形式穿过互连的金属和隔离堆栈，但它仍可以有效地缩短光堆栈的高度（请参见图2中的示意图）。
图1的中心）并使其平行。
光束被引导到光电二极管区域（图2）。
导光管必须会聚在视锥和由孔径确定的主光角（CRA）范围内的任何光。
更先进的半导体制造工艺使用较小的特征尺寸，并从铝工艺转换为铜工艺，这可以提供更窄的金属宽度并实现更宽的导光管。
结合这些改进，像素阵列可以是凹形的，从而将像素阵列上方的堆叠高度减小到仅两个金属层的厚度。
一旦光导管将光子传输到硅芯片的表面，光电二极管便开始工作。
鉴于硅晶片的光吸收特性，光电二极管的面积应延伸到几微米的深度。
在设计光电探测器时，可以将耗尽深度扩展到硅晶片中，以最大程度地提高光子收集和存储的空间分辨率（请参见图1最右边的示意图）。
关键是要最大化相邻光电二极管之间的隔离度，并形成一个深结，以消除由未被吸收在光电二极管中的更大波长的光子所产生的任何光电荷。
2.功率传感器技术的突破目前，我国功率传感器需要突破的核心技术主要集中在以下四个方面：1.功率传感器材料和器件技术的突破。
开发交流和直流电量传感器，以满足直流测量和电能质量的要求；培养低成本，高度可靠的电流，局部放电，气体和振动光学传感器组件，这些组件可以与主要设备集成在一起；加速表面声波，红外线以及非接触式温度传感器（如热电堆）的开发。
2.考虑到超低功耗，带宽等指标，研发满足低功耗，宽带窄带集成的无线传感器网络协议和产品，满足功耗感知的需求；建立基于一致的通信协议和评估方法的无线传感器网络互连互通性和评估系统，以解决不同供应商的产品和协议的兼容性以及各种性能评估问题。
3.针对功率感知应用的快速响应特性，形成智能分析技术平台以实现“感知+本地分析”。
基于“平台+应用